山口 裕太郎


AlGaN/GaN HEMTにおけるドレーン漏れ電流の解析
林 一夫 大石 敏之 加茂 宣卓 山口 裕太郎 大塚 浩志 山中 宏治 中山 正敏 宮本 恭幸 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2013/08/01
Vol. J96-C  No. 8  pp. 200-208
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
AlGaN/GaN HEMTトラップTCADシミュレーションドレーン漏れ電流
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