執行　直之

デバイス・シミュレーション―予測確度と実用性の向上―
執行　直之 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2016/01/01
Vol. J99-C  No. 1  pp. 10-17
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
TCAD, 物理モデル, 逆ナロー・チャネル効果, 不純物ゆらぎ, 少数キャリア移動度, バンドギャップ・ナローイング, メッシュ依存性, フラッシュ・メモリ, 
 あらまし | 本文:PDF(1.7MB)
埋込チャネルMOSFETのSスイングと短チャネル効果の改善：Counter-Doped Surface-channel MOSFET（CDSC）
遠田　利之 執行　直之 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1996/06/25
Vol. J79-C2  No. 6  pp. 244-251
論文種別:  特集論文 (ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
専門分野: 
キーワード: 
CMOS, サブミクロンデバイス, 埋込チャネル, subthreshold－swing, 短チャネル効果, 
 あらまし | 本文:PDF(441.4KB)
MOSデバイスの3次元シミュレーションと狭チャネル効果の解析
執行　直之 小中　雅水 檀　良 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1983/12/25
Vol. J66-C  No. 12  pp. 1035-1041
論文種別:  特集論文 (LSI特集)
専門分野: 微細化デバイス
キーワード: 
 あらまし | 本文:PDF(500.5KB)
多値論理関数の計算量の下限について
執行　直之 石田　良弘 丸岡　章 木村　正行 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 D
発行日: 1983/05/25
Vol. J66-D  No. 5  pp. 564-570
論文種別:  論文
専門分野: 
キーワード: 
 あらまし | 本文:PDF(509.9KB)