垂井 康夫


エピタキシャルゲート構造を有する強誘電体ゲートFETの試作と電気特性
右田 真司 坂巻 和男 熊 四輩 太田 裕之 垂井 康夫 酒井 滋樹 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2002/01/01
Vol. J85-C  No. 1  pp. 14-22
論文種別:  論文
専門分野: 電子材料
キーワード: 
強誘電体トランジスタメモリエピタキシシリコン
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結晶粒界位置制御による高性能多結晶シリコン薄膜トランジスタ
篠原 俊朗 垂井 康夫 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1993/05/25
Vol. J76-C2  No. 5  pp. 268-275
論文種別:  特集論文 (ジャイアントマイクロエレクトロニクスとその応用論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
多結晶シリコン薄膜トランジスタ自己整合形結晶粒界位置制御
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多結晶シリコン薄膜トランジスタの特性分布シミュレーション
篠原 俊朗 垂井 康夫 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1992/10/25
Vol. J75-C2  No. 10  pp. 538-545
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
多結晶シリコン薄膜トランジスタシミュレーション特性ばらつき粒径分布
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DSA(Diffusion Self-Aligned)MOSトランジスタのゲート-ドレーン容量特性解析
大橋 寛 垂井 康夫 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1991/09/25
Vol. J74-C2  No. 9  pp. 667-672
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
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DSA MOSトランジスタのパンチスルー電圧計算モデル
大橋 寛 青柳 民朗 小宮 祥男 垂井 康夫 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1990/03/25
Vol. J73-C2  No. 3  pp. 179-186
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
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光CVD法によるシリコン窒化膜のたい積とアモルファスシリコン薄膜トランジスタ
鈴木 和彦 黒岩 紘一 上迫 浩一 垂井 康夫 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1989/10/25
Vol. J72-C2  No. 10  pp. 927-933
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
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ノンプレーナ形DSA MOSトランジスタ(V-MOS)の容量測定による解析
大橋 寛 藤田 剛 垂井 康夫 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1987/03/25
Vol. J70-C  No. 3  pp. 315-323
論文種別:  論文
専門分野: 半導体
キーワード: 
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電子ビーム描画における近接効果補正
杉山 尚志 斉藤 和則 清水 京造 垂井 康夫 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1979/10/25
Vol. J62-C  No. 10  pp. 668-675
論文種別:  論文
専門分野: 
キーワード: 
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DSA MOSトランジスタのE/Dモデル解析
大倉 五佐雄 浅井 外寿 下酉 和博 中野 隆生 林 豊 垂井 康夫 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1979/02/25
Vol. J62-C  No. 2  pp. 107-114
論文種別:  論文
専門分野: 
キーワード: 
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ダイナミックDSA MOS RAM
下酉 和博 穴見 健治 長山 安治 大倉 五佐雄 大森 雅司 中野 隆生 林 豊 垂井 康夫 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1978/07/25
Vol. J61-C  No. 7  pp. 448-454
論文種別:  論文
専門分野: 
キーワード: 
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DSA-MOSトランジスタの静特性
関川 敏弘 林 豊 垂井 康夫 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1975/09/25
Vol. J58-C  No. 9  pp. 509-515
論文種別:  論文・資料
専門分野: 
キーワード: 
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MOSFETの基板濃度測定法
関川 敏弘 西久保 靖彦 垂井 康夫 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1972/12/25
Vol. J55-C  No. 12  pp. 668-669
論文種別:  技術談話室
専門分野: 
キーワード: 
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ED-MOSバッファの設計
林 豊 江崎 城一朗 垂井 康夫 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1972/10/25
Vol. J55-C  No. 10  pp. 520-527
論文種別:  論文・資料
専門分野: 
キーワード: 
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ED-MOS-ICの設計理論
林 豊 垂井 康夫 橋本 信吾 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1972/07/25
Vol. J55-C  No. 7  pp. 337-344
論文種別:  論文・資料
専門分野: 
キーワード: 
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ボロンのSiへのプレデポジションにおける異常拡散
林 豊 由井 尚正 垂井 康夫 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1972/03/25
Vol. J55-C  No. 3  pp. 180-181
論文種別:  技術談話室
専門分野: 
キーワード: 
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MOSメモリLSIの製作技術改善のための信頼度試験
垂井 康夫 林 豊 鳴神 長昭 石井 賢一 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1972/02/25
Vol. J55-C  No. 2  pp. 114-121
論文種別:  論文・資料
専門分野: 
キーワード: 
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MOSTおよびMOS-ICにおける基板の影響―主として直流特性について―
林 豊 垂井 康夫 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1971/05/25
Vol. J54-C  No. 5  pp. 378-386
論文種別:  論文・資料
専門分野: 
キーワード: 
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界面準位の充電電荷とMOSトランジスタの静特性
垂井 康夫 永井 清子 林 豊 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1970/02/25
Vol. J53-C  No. 2  pp. 103-110
論文種別:  論文・資料
専門分野: 
キーワード: 
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移動度の電界依存性を考慮したMOSインバータのステップ応答
林 豊 小柳 理正 斉田 伸雄 垂井 康夫 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1969/12/25
Vol. J52-C  No. 12  pp. 837-838
論文種別:  技術談話室
専門分野: 
キーワード: 
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集積回路用電子ビーム露光装置の試作
垂井 康夫 伝田 精一 馬場 玄式 宮内 栄 田中 一光 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1968/02/25
Vol. J51-C  No. 2  pp. 74-81
論文種別:  論文・資料
専門分野: 
キーワード: 
 あらまし | 本文:PDF(878.6KB)