坂巻 和男


エピタキシャルゲート構造を有する強誘電体ゲートFETの試作と電気特性
右田 真司 坂巻 和男 熊 四輩 太田 裕之 垂井 康夫 酒井 滋樹 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2002/01/01
Vol. J85-C  No. 1  pp. 14-22
論文種別:  論文
専門分野: 電子材料
キーワード: 
強誘電体トランジスタメモリエピタキシシリコン
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