光嶋 康一


SPE法によるSOI層の熱酸化膜の評価
樹神 雅人 船橋 博文 光嶋 康一 多賀 康訓 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/05/25
Vol. J80-C2  No. 5  pp. 151-156
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
SOISPELPCVDOXIDE
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埋込みゲートを有する縦型MOS FET
樹神 雅人 上杉 勉 光嶋 康一 多賀 康訓 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/05/25
Vol. J80-C2  No. 5  pp. 157-163
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
SOISPELPCVD縦型MOSPower MOS埋込みゲートLateral SOI MOS
 あらまし | 本文:PDF(441.3KB)

SPE法によるSOI層中の不純物拡散
樹神 雅人 上杉 勉 船橋 博文 光嶋 康一 多賀 康訓 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/05/25
Vol. J80-C2  No. 5  pp. 181-183
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
SOISPELPCVD拡散
 あらまし | 本文:PDF(117.2KB)

SiH4を用いた清浄表面形成法によるSPE技術とSOI層の評価
樹神 雅人 船橋 博文 光嶋 康一 多賀 康訓 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1996/10/25
Vol. J79-C2  No. 10  pp. 507-513
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
SOIMOSFETLPCVDSPE
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