佐々木 公洋


Pb(Zr,Ti)O3薄膜成長における気相及びターゲットからの酸素導入の検討
金 済徳 佐々木 公洋 畑 朋延 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2000/11/25
Vol. J83-C  No. 11  pp. 1036-1042
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
準金属モード酸素供給源反応性スパッタリング強誘電体Pb(Zr,Ti)O3
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ECRプラズマCVDによるSi薄膜の選択エピタキシャル成長
高田 俊明 佐々木 公洋 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/04/25
Vol. J82-C2  No. 4  pp. 197-202
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
選択成長低温エピタキシャル成長エッチングECRプラズマCVDSi
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Si,Geのイオンビームスパッタ過程のモンテカルロシミュレーション
水谷 道夫 佐々木 公洋 畑 朋延 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/02/25
Vol. J81-C2  No. 2  pp. 245-250
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
モンテカルロシミュレーションイオンビームスパッタ法SiGe
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プラズマ堆積μc-SiヘテロエミッタによるSi-HBTの基礎検討
佐々木 公洋 深沢 剛 古川 静二郎 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1989/05/25
Vol. J72-C2  No. 5  pp. 478-483
論文種別:  特集論文 (シリコンLSIの高性能化技術特集)
専門分野: デバイス技術・バイポーラ
キーワード: 
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