井野 正行


GaAs 16 kbitスタティックRAMの設計と評価
富樫 稔 井野 正行 井田 雅夫 平山 昌弘 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1987/05/25
Vol. J70-C  No. 5  pp. 692-697
論文種別:  特集論文 (-族半導体デバイスと集積回路特集)
専門分野: ディジタル集積回路
キーワード: 
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80GHz帯高出力シリコンDHSインパットダイオード
井野 正行 牧村 隆司 石橋 忠夫 大森 正道 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1979/10/25
Vol. J62-C  No. 10  pp. 682-688
論文種別:  論文
専門分野: 
キーワード: 
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80GHz,150GHz帯高効率Si・DDRインパットダイオード
井野 正行 牧村 隆司 山崎 肇 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1975/11/25
Vol. J58-C  No. 11  pp. 689-690
論文種別:  技術談話室
専門分野: 
キーワード: 
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ミリメートル波階段接合形シリコンインパットダイオードの特性
大森 正道 井野 正行 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1973/05/25
Vol. J56-C  No. 5  pp. 285-292
論文種別:  論文・資料
専門分野: 
キーワード: 
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80GHz帯200mW階段接合形シリコンインパットダイオードの特性
大森 正道 井野 正行 牧村 隆司 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1972/12/25
Vol. J55-C  No. 12  pp. 678-679
論文種別:  技術談話室
専門分野: 
キーワード: 
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