中村 修二


InGaN量子井戸発光デバイスのふく射再結合機能
川上 養一 成川 幸男 澤田 憲 西條 慎 藤田 静雄 藤田 茂夫 中村 修二 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/01/25
Vol. J81-C2  No. 1  pp. 78-88
論文種別:  招待論文 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
専門分野: 族窒化物半導体
キーワード: 
InGaN発光デバイス時間分解スペクトロスコピー発光機構局在励起子量子ドット
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窒化物系青,緑色LEDと青紫色半導体レーザの進展
中村 修二 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/01/25
Vol. J81-C2  No. 1  pp. 89-96
論文種別:  招待論文 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
専門分野: 族窒化物半導体
キーワード: 
青色LEDInGaNGaNレーザダイオード
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