0-1整数計画法を用いた半導体メモリの不良セル救済プログラム

黒崎 真由  伊藤 直史  

誌名
電子情報通信学会論文誌 D   Vol.J91-D   No.11   pp.2596-2604
発行日: 2008/11/01
Online ISSN: 1881-0225
DOI: 
Print ISSN: 1880-4535
論文種別: 論文
専門分野: ディペンダブルコンピューティング
キーワード: 
メモリテスト,  スペア配置問題,  リダンダンシ解析,  メモリ再構成問題,  不良セル救済,  

本文: PDF(431.3KB)
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あらまし: 
半導体メモリ製造においては,実際の読み書きを行うセルとは別に複数の予備 のセルを設計段階から用意しておき,メモリテストで不良セルを検出した場合, 予備のセルに切り換えることによって不良を救済し,歩留りを向上させている.予備セルとそれを用いて救済する不良セルの組合せは,予備のセルの 構成と不良セルの配置に基づいて決定しなければならない.その決定アルゴリ ズムは厳密手法と発見的手法の二つに大別される.今回我々はこの問題を0-1整数計画法として定式化し,これを厳密に解くことによって不良セルの救済を 行う方法を開発した.また0-1整数計画法の解法として緩和法に基づくアルゴ リズムを適用した不良セル救済プログラムを開発し,性能を評価した.