表面活性化ダイレクトボンディングを用いた半漏れ型光アイソレータの製作

水本 哲弥  齊藤 日出紀  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J89-C   No.6   pp.423-424
公開日: 2006/06/01
Online ISSN: 1881-0217
Print ISSN: 1345-2827
論文種別: レター
専門分野: 
キーワード: 
半漏れ導波路,  導波路形光アイソレータ,  磁気光学効果,  表面活性化ダイレクトボンディング,  

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あらまし: 
磁気光学結晶Ce:YIGにLiNbO3クラッド層を表面活性化ダイレクトボンディングで接合し,導波TEモードと放射TMモード間に生ずる磁気光学効果による非相反モード変換とLiNbO3による相反モード変換を利用して半漏れ型光アイソレータを試作した.長さ1.6 mmの試作デバイスで,波長1.55 μmにおいてアイソレーション比20.2 dBが得られた.