SGT試作のためのSi柱側壁の犠牲酸化

日高 剛  網川 裕之  中村 広記  桜庭 弘  舛岡 富士雄  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J88-C   No.12   pp.1230-1231
公開日: 2005/12/01
Online ISSN: 
Print ISSN: 1345-2827
論文種別: レター
専門分野: 
キーワード: 
SGT,  犠牲酸化,  拡散律速,  

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あらまし: 
Surrounding Gate Transistor (SGT)試作のために,酸化膜厚1000Å,ドライ1050℃,O2含有率10%でSi柱側壁の犠牲酸化を行った.その結果,凸面が凹面より酸化されやすくなり酸化速度低下による応力緩和が行われ,円となることが示された.