新型CMOSシナプス回路

範　公可 

誌名
電子情報通信学会論文誌 A  Vol.J84-A  No.2  pp.246-248
発行日: 2001/02/01
Online ISSN: 
Print ISSN: 0913-5707
論文種別: レター
専門分野: 
キーワード: 
重み値,  相互コンダクタンス gm,  チャネル形状（W/L）,  オン抵抗,  シナプス, 

本文: PDF(178.7KB)

あらまし: 
ニューロン回路等に用いられている新型のCMOSシナプス回路を提案している．従来のCMOSインバータのみで構成されているシナプス回路において，重み値はCMOSインバータの構成要素であるPMOSとNMOSトランジスタの相互コンダクタンス gm として実現されていた．しかし，CMOSインバータの出力端子の電圧レベルによって，これらのPMOSとNMOSトランジスタの相互コンダクタンス gm が変動してしまい，シナプス回路に非線形な出力特性をもたらしてきた．今回，提案した新型CMOSシナプス回路では，構成しているCMOSインバータ回路に抵抗を導入し正確にシナプスの重み値を実現することができた．