3次元フォトニック結晶へのIII V族化合物半導体活性層の埋込み

花泉 修  桜井 康樹  相澤 芳三  川上 彰二郎  倉持 栄一  奥 哲  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J83-C   No.3   pp.232-233
公開日: 2000/03/25
Online ISSN: 
Print ISSN: 1345-2827
論文種別: レター論文
専門分野: 
キーワード: 
フォトニック結晶,  自己クローニング,  III V族化合物半導体,  MBE,  選択成長,  

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あらまし: 
InP基板上で,横方向を自己クローニングにより形成したSi/SiO23次元フォトニック結晶で閉じ込められた領域にIII V族化合物半導体活性層をMBEにより選択成長させるプロセス技術を開発・実証した.フォトニック結晶層を面内で横方向に伝搬した自然放出光には偏波依存性が確認された.