サブ0.1μmMOS構造素子における問題点と素子設計キャリヤ速度オーバシュートと特性揺らぎをもとに

水野 智久  大場 竜二  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J81-C2   No.3   pp.320-325
発行日: 1998/03/25
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Print ISSN: 0915-1907
論文種別: 特集論文 (サブ0.1μmMOSデバイスの実現に向けたプロセス・デバイス技術論文小特集)
専門分野: 
キーワード: 
速度オーバシュート,  移動度,  キャリヤ密度,  不純物濃度,  特性揺らぎ,  

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あらまし: 
MOS構造素子のサブ0.1μm領域における問題点の抽出を行い,それに基づいての新たな素子設計法を検討した.低ゲートドライブ領域での電子速度オーバシュート効果は,ゲートドライブの増加と共に,移動度劣化によって低下する.また,移動度向上を目指したチャネル不純物の低濃度化は反転層キャリヤ密度の低下を招く.これらがMOS構造の欠点である.一方,しきい値電圧の特性揺らぎを抑制するための不純物濃度の最適解が存在する.本研究では,素子の動作の高速化と特性揺らぎの抑制を両立した素子設計法を提案する.