窒化物系青,緑色LEDと青紫色半導体レーザの進展

中村 修二  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J81-C2   No.1   pp.89-96
公開日: 1998/01/25
Online ISSN: 
Print ISSN: 0915-1907
論文種別: 招待論文 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
専門分野: 族窒化物半導体
キーワード: 
青色LED,  InGaN,  GaN,  レーザダイオード,  

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あらまし: 
発光出力3~5mWの高出力InGaN単一量子井戸構造青,緑色発光ダイオード(LED)が開発され,商品化されている.青,緑色LEDのInGaN井戸層による吸収ピークエネルギーと発光ピークエネルギー差はそれぞれ290,570meVであった.これはLEDあるいはレーザ発光がInGaN井戸層の深い局在準位から生じていることを示している.室温で300時間以上連続発振するInGaN多重量子井戸構造レーザダイオードが開発された.初期特性としては出力50mW,動作温度100℃,特性温度170K,発振波長416nmであった.