サファイア上GaNの成長過程と結晶学的特性およびGaN上AlGaN,GaInNの結晶学的特性

天野 浩  竹内 哲也  山口 栄雄  Christian Wetzel   勇  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J81-C2   No.1   pp.65-71
公開日: 1998/01/25
Online ISSN: 
Print ISSN: 0915-1907
論文種別: 招待論文 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
専門分野: 族窒化物半導体
キーワード: 
低温堆積緩衝層,  モザイク構造,  ツイストとチルト,  ひずみと格子緩和,  

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あらまし: 
高温透過電子顕微鏡および走査電子顕微鏡を用いて観察したサファイア上のAlN低温堆積緩衝層の結晶化過程,およびその上にエピタキシャル温度で成長するGaNの成長過程について概説した.また,X線回折法によるサファイア上GaNの結晶学的特性,特にチルト分布およびツイスト分布の直接的な測定方法を概説した.更にGaN上のA1GaNおよびGaInN 3元混晶の成長と結晶学的特性について,特にX線回折測定法を用いたひずみおよび格子緩和の測定方法について概説した.