光照射半導体基板を用いたサブミリ波変調法

莅戸 立夫  南出 泰亜  水野 皓司  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J80-C1   No.6   pp.259-266
発行日: 1997/06/25
Online ISSN: 
DOI: 
Print ISSN: 0915-1893
論文種別: 論文
専門分野: レーザ・量子エレクトロニクス
キーワード: 
サブミリ波,  光制御,  変調,  半導体基板,  可変幅パルス,  

本文: PDF(529KB)
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あらまし: 
半導体基板にそのバンドギャップエネルギー以上のフォトンエネルギーをもった光を照射し,基板内に自由キャリヤを発生させることにより,サブミリ波帯電磁波に対する基板反射率,透過率を制御することができる.本論文ではこの光照射半導体を用いたサブミリ波変調法に関して,半導体基板として高抵抗シリコンおよびGaAs基板,サブミリ波として波長214μmの連続波,自由キャリヤの励起光としてQスイッチNd:YAGレーザパルス光を用いた場合の実験結果を示す.本結果より,半導体基板材料,励起光波長,サブミリ波と励起光の基板に対する照射面の差異が変調波形に及ぼす影響を明らかにした.更に,本方法の応用としてサブミリ波帯においてパルス幅可変の短パルスの発生に成功した.