AlGaInP系可視光半導体レーザの高出力動作における光学損傷

福嶋 丈浩  古谷 章  鬼頭 泰浩  須藤 久男  菅野 真実  棚橋 俊之  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J78-C1   No.3   pp.143-149
公開日: 1995/03/25
Online ISSN: 
Print ISSN: 0915-1893
論文種別: 論文
専門分野: 量子エレクトロニクス
キーワード: 
半導体レーザ,  緩慢劣化,  突然劣化,  光学損傷,  寿命推定,  相互拡散,  自然酸化膜,  

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あらまし: 
680nm帯AlGaInP系可視光半導体レーザは,光磁気ディスク装置の光源として,注目されており,高温高出力動作における信頼性が要求されている.本レーザの高出力動作における寿命は,端面の光学損傷による突然劣化で制限される.本論文では,突然劣化に対して用いられる従来の寿命推定法の問題点を示し,これらを解決する新しい方法を提案すると共に,可視光半導体レーザに対して寿命を推定した結果について述べる.更に,レーザ端面に対してμ-AES(micro-Auger Electron Spectroscopy)深さ方向分析を行い,コート膜とレーザ結晶の相互拡散とコート膜とレーザの界面に形成される自然酸化膜を定量的に評価し,突然劣化に与える影響を検討した結果について述べる.