半導体レーザにおける端面およびバルク劣化の評価法

福嶋 丈浩  古谷 章  鬼頭 泰浩  須藤 久男  菅野 真実  棚橋 俊之  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J78-C1   No.2   pp.73-79
公開日: 1995/02/25
Online ISSN: 
Print ISSN: 0915-1893
論文種別: 論文
専門分野: 量子エレクトロニクス
キーワード: 
半導体レーザ,  端面劣化,  バルク劣化,  素子分割,  AR端面,  HR端面,  

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あらまし: 
本論文では,半導体レーザにおける端面劣化とバルク劣化(結晶劣化)を切り分けて評価することを目的として,劣化素子を共振器方向に三つの領域にへき開分割する新しい評価法を提案する.更に,本評価法のAlGaInP系可視光半導体レーザヘの適用例により端面コートを行わないクリーブ素子とAR-HR(Anti-Reflection-High-Reflection)端面コートを行った素子のいずれに対しても,劣化によって生じる端面反射率の変化ならびに端面劣化とバルク劣化が素子特性に与える影響を定量的に評価できることを示す.