スミスチャートを用いる共鳴準位合成法

大谷 直毅  永井 信夫  三木 信弘  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J75-C2   No.9   pp.497-503
発行日: 1992/09/25
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DOI: 
Print ISSN: 0915-1907
論文種別: 論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
スミスチャート,  半導体超格子,  回路網理論,  共鳴トンネル効果,  共鳴準位合成,  

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あらまし: 
量子効果を積極的に利用した新機能デバイスの研究開発が盛んになっている.そのため,所望の量子効果現象を得るために超格子や量子井戸構造などの設計法の必要性が高まっている.筆者らは先に,超格子構造における電子波の振舞いを回路論的に取扱う手法を提案した.この手法により共鳴トンネル効果などの解析にスミスチャートを応用することが可能となり,完全および不完全共鳴条件を容易に証明することができた.本論文では,スミスチャートを用いて行うことができる超格子構造の設計法を提案する.考察の対象として,これまで検討が十分に行われていない4重バリヤ構造を取り上げた.二つの対称2重バリヤからなる対称4重バリヤを利用して,二つの共鳴準位を合成する方法について考察した.また,二つの非対称2重バリヤからなる対称および非対称4重バリヤ構造を用いて共鳴準位の合成を行い,その共鳴状態の違いについて検討している.