偏向変調形EBS増幅器用ダイオードの設計に関する一考察

巻島　秀男＠三冨　修＠石� 

誌名
電子情報通信学会論文誌 C  Vol.J65-C  No.9  pp.681-688
公開日: 1982/09/20
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Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文
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あらまし: 
帯域通過特性を持つ偏向変調形EBS増幅器はマイクロ波帯から準ミリ波帯の電力増幅器として有望であり，これに使用するダイオードはその特性を決定する重要な構成要素の一つである．本論文では高周波動作に適したダイオードの設計法を明らかにすることを目的とする．はじめに，電子ビームの照射によってダイオード中に発生する電子正孔対プロフィルをモンテカルロ法によって求め，金属層の厚さ・材料，p＋層の厚さ等による分布を定量的に把握した．次に，電子正孔対発生プロフィルをもとに，キャリアが空乏層を走行する時間に起因する出力電流の振幅レスポンスを求めた．更に，電子正孔対発生プロフィルと振幅レスポンスをもとに，帯域通過特性を持つ偏向変調形増幅器の動作条件を考慮して，ダイオードの効率を最大にするダイオード設計パラメータを求める方法を提案した．本論文で述べた設計思想にもとづき，10GHz帯のSi-pn接合およびGaAsショットキーバリアダイオードの設計を行い，各種設計パラメータが特性に与える影響を検討し，SiあるいはGaAsを用いたEBSダイオードの特性と性能限界を明らかにした．