バイアス条件を考慮した半導体素子の非接触IM測定法

安藤 佑悟  久我 宣裕  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J102-C   No.3   pp.44-50
公開日: 2019/02/12
Online ISSN: 1881-0217
DOI: 
論文種別: 特集論文 (社会システムの変革を牽引するヘテロインテグレーション技術論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
相互変調ひずみ,  非線形ノイズ,  非接触測定,  バイアス電圧,  2端子半導体素子,  

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あらまし: 
本論文では半導体素子の電磁波曝露に対するIM特性を非接触測定する手法を提案している.本手法では,被測定素子を接続した平面ダイポールアンテナを測定試料とし,これをIM測定器に接続されたセンシング用アンテナの近傍に設置することで電磁波曝露に対するIM特性を評価する.これにより,実使用状態に即したバイアス条件を考慮した被測定素子のIM特性を,センシング用アンテナから約1.7波長離した状態で評価可能としている.また被測定素子へのバイアス電圧は,ダイポールアンテナに接続されたチョークインダクタ装荷線路を介して供給される.本論文ではショットキーバリアダイオードを被測定試料とし,2GHz帯における実験的検討により,提案手法の有効性を確認している.その結果,本手法を用いて,バイアス電圧の影響を考慮したダイオードのIM特性が安定して評価できることが示されている.