イオン照射によるシリコン基板の高抵抗化技術

井上 剛  八木 宏親  李 寧  平野 拓一  岡田 健一  松澤 昭  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J101-C   No.9   pp.344-351
公開日: 2018/08/09
Online ISSN: 1881-0217
DOI: 
論文種別: 招待論文
専門分野: マイクロ波,ミリ波
キーワード: 
イオン照射,  シリコン基板,  高抵抗,  受動素子,  低損失,  低消費電力,  

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あらまし: 
高周波の無線通信デバイスでは基板損失を低減するために抵抗率の高い基板が望まれている.CMOS回路技術によりデジタル回路とアナログ回路をシリコン基板上に集積できるため,チップサイズを小さくできコスト低減を図ることができるが,シリコン基板の抵抗率が低いことが問題視されている.この問題は高抵抗基板を使用する事で解決できるが,トランジスタやダイオード等の能動素子製造過程で注入されたドーパントがその後の熱処理過程で拡散することで基板の抵抗率が低下し,本来目標としている抵抗率が得られないことがある.本論文では,ポストパッシベーションプロセスとして開発を進めているサイクロトロン加速器を用いたイオン照射によるシリコン基板の高抵抗化技術を半導体デバイス製造の新規プロセスに適用する際の課題について検証した結果を報告する.