Cu Pillar基板を用いたTMV First型FO-WLPプロセスの考察

山田 浩  八甫谷 明彦  明島 周三  江澤 弘和  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J101-C   No.2   pp.66-73
発行日: 2018/02/01
Online ISSN: 1881-0217
論文種別: 特集論文 (次世代モビリティ機器を実現するヘテロインテグレーション技術論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
Fan Out Wafer Level Package,  Through Mold Via,  Cu pillar,  TMV First型プロセス,  樹脂残渣,  

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あらまし: 
本論文では,FO-WLPのTMV形成において,TMV金属となるCu pillarをあらかじめ形成したCu pillar基板をFO-WLP樹脂に押圧するTMV First型プロセスの実現可能性を実験評価から考察した.その結果,FO-WLP樹脂表面に露出するCu pillar段差は,樹脂印刷膜厚とCu pillar heightの最適化から,Cu pillar topを樹脂表面と一致できることが分かった.更に,Cu pillar topの表面酸化と樹脂残渣を排除することで,RDL配線の抵抗値を低下できることが分かった.これらの結果から,Cu pillar基板をFO-WLP樹脂に押圧するTMV First型プロセスは,3D型FO-WLPに適用可能であることが明らかになった.