Al/Al2O3/Cu2Se/Au構造素子の非対称ヒステリシスI-V特性

江間 義則  小川 満太郎  高橋 崇宏  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J101-C   No.2   pp.119-123
発行日: 2018/02/01
Online ISSN: 1881-0217
論文種別: ショートノート
専門分野: 
キーワード: 
Al2O3,  Cu2Se,  ヒステリシス,  I-V特性,  メモリ効果,  導電パス,  

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あらまし: 
Al/Al2O3/Cu2Se/Au構造試料で,Auを正電圧として数Vのしきい値を越えると急激に電流が流れる片極性ヒステリシスI-V特性を観測した.一度しきい値を超え低抵抗状態となるとその状態を保ちメモリ効果を示した.導電パスが形成されるとする導電機構を提示した.