非対称結合共振器をフィードバック回路に用いた2.4GHz帯50W出力高効率GaN-HFET発振器

池田　光  伊藤　康之  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J101-C   No.12   pp.454-460
公開日: 2018/11/12
Online ISSN: 1881-0217
DOI: 
論文種別: 特集論文 (大学発マイクロ波論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
マイクロ波,  フィードバック発振器,  高効率,  高出力,  GaN-HFET,  

本文: PDF(1.4MB)
>>論文を購入

あらまし: 
近年，マイクロ波エネルギーの活用範囲を広げるために従来のマグネトロン発振器に代わる固体素子を用いたマイクロ波電源の研究が盛んに行われている．固体素子を用いたマイクロ波電源として，複雑な構成であるが高効率な増幅器型と簡単な構成であるが効率が悪い発振器型とがある．筆者らは既にフィードバック回路に非対称結合共振器を採用して増幅器型とほぼ同じ効率が得られる高出力発振器を提案した．本論文では更に高効率を実現するために，デバイスをLDMOSからGaN-HFETに変更し，増幅器に3次までの高調波処理を行い，フィードバック回路への結合度を下げ，最後にフィードバックの位相を調整して，発振周波数2.46GHz，出力電力50W，効率67%を実現したので報告する．