TiO2/TiN混合ターゲットを用いたRFスパッタリングで作製したN添加TiO2多結晶薄膜の配向性の変化

江間 義則  高山 明大  高橋 崇宏  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J100-C   No.12   pp.619-622
公開日: 2017/11/13
Online ISSN: 1881-0217
論文種別: ショートノート
専門分野: 
キーワード: 
TiO2,  N添加,  光触媒,  スパッタリング,  結晶配向性,  

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あらまし: 
TiO2とTiNを混合したターゲットを用いたスパッタリングにより,N添加TiO2膜を作製し結晶性を調べた.基板温度200℃,電力200 W,圧力9.3 Paの成膜条件で,N無添加TiO2膜は(101)配向であったが,Nが増すとある量までは優先配向面が(004)に変化した.