S雰囲気中フラッシュ蒸着によるSi(001)上CuInS2薄膜のエピタキシャル成長

江間 義則  増田 悠人  高橋 崇宏  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J100-C   No.11   pp.545-548
発行日: 2017/11/01
Online ISSN: 1881-0217
論文種別: ショートノート
専門分野: 
キーワード: 
CuInS2,  カルコパイライト型半導体,  Si基板,  エピタキシャル成長,  フラッシュ蒸着,  

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あらまし: 
Si(001)基板上にCuInS2の小塊を繰り返しフラッシュ蒸着し,エピタキシャル成長する条件を調べた.S蒸気を照射しながら,基板温度400℃,材料供給周期1秒程度,成膜速度では2Å/sec程度で,良好なエピタキシャル膜が得られた.