SiCショットキーバリアダイオードの非導通時ESR特性がDC-DCコンバータの伝導性EMIノイズに与える影響評価

井渕 貴章  舟木 剛  

誌名
電子情報通信学会論文誌 B   Vol.J100-B   No.3   pp.149-157
発行日: 2017/03/01
Online ISSN: 1881-0209
論文種別: 特集論文 (IoT時代の電磁環境を支えるEMC技術論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
DC-DCコンバータ,  SiCショットキーバリアダイオード,  Prony法,  伝導性EMIノイズ,  

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あらまし: 
電源回路の更なる高効率化や高電力密度化に向け,SiC等のワイドバンドギャップパワー半導体デバイスの高速・高周波数スイッチング動作の適用が検討されている.EMC(電磁環境両立性)を考慮した回路設計に求められるEMI(電磁妨害)ノイズ発生メカニズムの解明に向け,本論文では,SiCショットキーバリアダイオード(SBD)の非導通時ESR(等価直列抵抗)特性がDC-DCコンバータの伝導性EMIノイズに与える影響について考察した.結果から,発生ノイズの小さいSiC-SBDを実現するには,端子間容量の低減及び非導通時のESRが大きくなる素子構造が必要であることが示唆された.また高温動作時ほどSiC-SBDの非導通時のESRは大きく,SiC-SBD特有のノイズスペクトルピークが抑制されることを確認した.