キーワード : X帯


X帯及びKu帯高出力GaN HEMTの現状
高木 一考 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2009/12/01
Vol. J92-C  No. 12 ; pp. 762-769
論文種別:  招待論文 (マイクロ波論文(大学発)特集)
専門分野: 
キーワード: 
GaN HEMT電力付加効率X帯Ku帯
 あらまし | 本文:PDF(1.4MB)

X帯における斜入射用透明電波吸収体の実現
花澤 理宏 橋本 修 江原 英利 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 B
発行日: 2000/02/25
Vol. J83-B  No. 2 ; pp. 245-251
論文種別:  論文
専門分野: 環境電磁・EMC
キーワード: 
透明電波吸収体斜入射特性角度特性抵抗皮膜X帯
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X帯・Ku帯における抵抗皮膜を用いた 簡易電波吸収体に関する検討
江原 英利 橋本 修 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 B
発行日: 1999/07/25
Vol. J82-B  No. 7 ; pp. 1414-1416
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
λ / 4 型電波吸収体X帯Ku帯抵抗皮膜酸化インジウムすず
 あらまし | 本文:PDF(127.1KB)

炭素粒子混入エポキシ変性ウレタンゴムを用いた広帯域2層型マイクロ波帯用電波吸収体の理論的検討
橋本 修 辻村 彰宏 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 B
発行日: 1994/01/25
Vol. J77-B2  No. 1 ; pp. 47-49
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
エポキシ変性ウレタンゴムX帯2層型電波吸収体
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