キーワード : RIE


フッ素系プラズマ処理によるP-HEMT特性劣化機構
内山 博幸 谷口 隆文 紀川 健 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2006/09/01
Vol. J89-C  No. 9 ; pp. 576-582
論文種別:  特集論文 (化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
フッ素HEMTGaAsXPSRIE
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薄型化チップの高強度化
田久 真也 黒澤 哲也 清水 紀子 原田 享 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2005/11/01
Vol. J88-C  No. 11 ; pp. 882-888
論文種別:  特集論文 (先端電子デバイス実装技術と解析・評価技術の最新動向論文特集)
専門分野: SiP応力解析技術
キーワード: 
抗折強度裏面研削DBGCMPRIE
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