キーワード : 絶縁破壊


4H-SiC基板上に形成された熱酸化膜の高信頼化技術
 純寿 福田 憲司 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2006/09/01
Vol. J89-C  No. 9 ; pp. 597-603
論文種別:  特集論文 (化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
シリコンカーバイド熱酸化膜信頼性絶縁破壊加速寿命試験
 あらまし | 本文:PDF(387.2KB)

極薄シリコン酸化膜におけるPre-Breakdown現象のキャリヤセパレーション法による解析
宇野 重康 石田 明寛 鎌倉 良成 谷口 研二 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2003/04/01
Vol. J86-C  No. 4 ; pp. 457-466
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
pre-breakdownキャリヤセパレーションanomalous SILC絶縁破壊electric breakdown
 あらまし | 本文:PDF(770.1KB)