キーワード : 境界条件


電磁界シミュレータ利用の勘所―境界条件と励振モデル―
平野 拓一 
誌名:   
発行日: 2018/10/01
Vol. J101-C  No. 10 ; pp. 381-388
論文種別:  招待論文
専門分野: マイクロ波,ミリ波
キーワード: 
電磁界解析シミュレーションモデル化境界条件励振波源モデル
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工業用電子レンジ庫内に配置された食品内部における吸収電力の短時間解析
須賀 良介 橋本 修 伊集院 太一 高富 哲也 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2008/03/01
Vol. J91-C  No. 3 ; pp. 229-230
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
短時間解析マイクロ波加熱吸収電力境界条件
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熱抵抗を考慮したSOI MOSFETのデバイスシミュレーション
崔 愿哲 冨岡 進一 檀 良 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/08/25
Vol. J82-C1  No. 8 ; pp. 500-501
論文種別:  レター論文
専門分野: 
キーワード: 
偏微分方程式境界条件SOI MOSFET半導体シミュレーション
 あらまし | 本文:PDF(230.2KB)

熱抵抗を考慮したSOI MOSFETのデバイスシミュレーション
崔 愿哲 冨岡 進一 檀 良 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/08/25
Vol. J82-C2  No. 8 ; pp. 466-467
論文種別:  レター論文
専門分野: 
キーワード: 
偏微分方程式境界条件SOI MOSFET半導体シミュレーション
 あらまし | 本文:PDF(233KB)

ヘテロ界面における波動関数の接続を表す複素等価回路
真田 博文 永井 信夫 大谷 直毅 三木 信弘 大鎌 広 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1993/09/25
Vol. J76-C1  No. 9 ; pp. 344-351
論文種別:  論文
専門分野: 電磁界理論
キーワード: 
回路理論波動関数境界条件GaAs/AlxGa1-xAsInAs/GaSbΓ- mixing
 あらまし | 本文:PDF(516.9KB)