キーワード : リーク電流


電源電圧0.5 Vでの低電圧論理回路の高速動作の検討
不破 幸祐 松谷 康之 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 A
発行日: 2011/03/01
Vol. J94-A  No. 3 ; pp. 214-217
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
基板バイアス効果低電源電圧化リーク電流高速動作
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リーク電流を考慮した2電源方式システムLSIの低消費電力設計法
渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2008/10/01
Vol. J91-C  No. 10 ; pp. 500-502
論文種別:  ショートノート
専門分野: 
キーワード: 
システムLSI2電源方式消費電力充放電電流リーク電流
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GaN系ショットキー接合のリーク電流
橋詰 保 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2005/08/01
Vol. J88-C  No. 8 ; pp. 621-629
論文種別:  解説論文
専門分野: 
キーワード: 
GaNショットキー接合リーク電流トンネル電流表面欠陥
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マルチCPUアーキテクチャにおける動作温度を考慮したパワーマネージメント技術
山下 高廣 萩原 正人 峯松 勲 藤本 徹哉 石橋 孝一郎 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2005/01/01
Vol. J88-C  No. 1 ; pp. 68-69
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
低消費電力マルチCPUリーク電流温度依存性電力制御
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微細MOSFETのリーク電流を考慮したシステムLSIの高速低消費電力設計法の検討
渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2003/09/01
Vol. J86-C  No. 9 ; pp. 1034-1037
論文種別:  ショートノート
専門分野: 
キーワード: 
システムLSI並列処理動作時の消費電力MOSFETリーク電流
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VUV-CVDで生成したシリカ膜の電気特性
本山 理一 黒澤 宏 横谷 篤至 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2003/08/01
Vol. J86-C  No. 8 ; pp. 913-919
論文種別:  論文
専門分野: レーザ・量子エレクトロニクス
キーワード: 
VUV-CVDXe2エキシマランプ環状Si-O骨格リーク電流比誘電率
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1.3μmおよび1.5μm-InGaAsPレーザダイオードの再結合係数の測定
日高 渉 須崎 渉 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/07/25
Vol. J80-C1  No. 7 ; pp. 313-318
論文種別:  論文
専門分野: レーザ・量子エレクトロニクス
キーワード: 
レーザダイオード発光再結合係数オージェ再結合係数発振遅れ時間リーク電流
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リーク電流補償によるCMOS ICの高温動作化
水野 健太朗 太田 則一 北川 文孝 長瀬 宏 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/02/25
Vol. J80-C1  No. 2 ; pp. 92-93
論文種別:  レター論文
専門分野: 
キーワード: 
CMOS高温動作リーク電流補償
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リーク電流補償によるCMOS ICの高温動作化
水野 健太朗 太田 則一 北川 文孝 長瀬 宏 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/02/25
Vol. J80-C2  No. 2 ; pp. 87-88
論文種別:  レター論文
専門分野: 
キーワード: 
CMOS高温動作リーク電流補償
 あらまし | 本文:PDF(104.3KB)