須田 善行


熱CVDグラフェンの基礎と転写フリーグラフェンMOSFETの電気特性評価
市川 和典 須田 善行 
誌名:   
発行日: 2017/05/01
Vol. J100-C  No. 5  pp. 242-250
論文種別:  招待論文
専門分野: 電子材料
キーワード: 
グラフェン熱化学気相堆積法(熱CVD)電界効果トランジスタ(MOSFET)
 あらまし | 本文:PDF(1.2MB)