竹中 充


材料エンジニアリングによるトンネル電界効果トランジスタの高性能化
高木 信一 加藤 公彦 安 大煥 後藤 高寛 松村 亮 高口 遼太郎 竹中 充 
誌名:   
発行日: 2019/03/01
Vol. J102-C  No. 3  pp. 61-69
論文種別:  招待論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
トンネリングFETS.S.値
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III-V CMOSフォトニクスを用いた光電子融合集積回路プラットホーム技術
竹中 充 一宮 佑希 程 勇鵬 金 相賢 高木 信一 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2014/03/01
Vol. J97-C  No. 3  pp. 95-103
論文種別:  招待論文
専門分野: 光エレクトロニクス
キーワード: 
III-V-OICMOSフォトニクスIII-V細線導波路InGaAs MOSトランジスタ
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