瀧川 亜樹


SiO2/SiC界面における窒素化学状態の結晶面方位依存性
森 大輔 井上 慧 寺西 秀明 広瀬 隆之 瀧川 亜樹 
誌名:   
発行日: 2017/09/01
Vol. J100-C  No. 9  pp. 377-383
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
4H-SiCMOSSiO2界面窒素X線光電子分光
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