渡辺 重佳


3D NANDフラッシュメモリの製造技術を用いたFe-FET型組合せ回路とその評価結果用メモリを積層した不揮発性順序回路の提案
横田 智広 渡辺 重佳 
誌名:   
発行日: 2017/10/01
Vol. J100-C  No. 10  pp. 510-518
論文種別:  論文
専門分野: 集積エレクトロニクス
キーワード: 
NAND型メモリBiCS技術Fe-FET積層構造順序回路組み合わせ回路不揮発性
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3D NANDフラッシュメモリの製造技術を用いた縦型垂直積層トランジスタによって構成されたCMOS NAND/NOR回路の提案
横田 智広 渡辺 重佳 
誌名:   
発行日: 2017/04/01
Vol. J100-C  No. 4  pp. 168-173
論文種別:  ショートノート
専門分野: 
キーワード: 
NAND型メモリFe-FET多段積層縦型トランジスタ構造CMOSNAND回路NOR回路論理LSI再構成可能
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縦型トランジスタ構造を用いた積層型Fe-FET NOR/NORアレーの提案とその組み合わせ論理回路への適用検討
玉井 翔人 佐藤 匠 渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2016/11/01
Vol. J99-C  No. 11  pp. 550-563
論文種別:  論文
専門分野: 集積エレクトロニクス
キーワード: 
NOR型メモリFe-FET縦型トランジスタ構造NORアレー論理LSI再構成可能高速動作
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多段積層縦型トランジスタ構造を用いた積層型Fe-FET順序回路の提案
横田 智広 渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2016/07/01
Vol. J99-C  No. 7  pp. 338-346
論文種別:  論文
専門分野: 集積エレクトロニクス
キーワード: 
NAND型メモリBiCS技術Fe-FET積層構造順序回路フリップフロップ再構成可能
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多段積層縦型トランジスタ構造を用いた積層型メモリ/論理回路アレーの提案とそのLUT (Look Up Table)への適用検討
玉井 翔人 佐藤 匠 渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2016/07/01
Vol. J99-C  No. 7  pp. 347-356
論文種別:  論文
専門分野: 集積エレクトロニクス
キーワード: 
NAND型メモリBiCS技術Fe-FET積層構造LUTFPGA論理LSI再構成可能
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多段積層縦型トランジスタ構造を用いたFe-FET NAND/NANDアレーの提案とそのロジックLSIへの適用検討
横田 智広 渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2016/04/01
Vol. J99-C  No. 4  pp. 150-159
論文種別:  論文
専門分野: 集積エレクトロニクス
キーワード: 
NAND型メモリFe-FET多段積層縦型トランジスタ構造NANDアレー論理LSI再構成可能
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任意の外部記憶容量で動作するマージソート
山岸 直秀 鈴木 誠 渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 D
発行日: 2013/03/01
Vol. J96-D  No. 3  pp. 441-451
論文種別:  特集論文 (学生論文特集)
専門分野: 情報・システム基礎
キーワード: 
マージソートIn-placeソート安定ソート空間計算量時間計算量
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三次元型トランジスタを用いた各種回路構成の論理回路のパターン面積の縮小効果の検討
廣島 佑 小玉 貴大 渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2011/10/01
Vol. J94-C  No. 10  pp. 341-345
論文種別:  ショートノート
専門分野: 
キーワード: 
FinFETダブルゲート型トランジスタスタック型トランジスタ全加算器パターン面積
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MOSダブルゲート/CNTトランジスタを用いた再構成可能な論理回路のパターン面積の検討
林 隆程 渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2011/10/01
Vol. J94-C  No. 10  pp. 346-349
論文種別:  ショートノート
専門分野: 
キーワード: 
MOSダブルゲート型トランジスタCNT型トランジスタ再構成可能論理回路パターン面積
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SGTと平面型トランジスタを用いたスタンダードセルのパターン面積の比較検討
小玉 貴大 渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2011/06/01
Vol. J94-C  No. 6  pp. 166-170
論文種別:  ショートノート
専門分野: 
キーワード: 
SGTシステムLSIデザインルールパターン面積スタンダードセル
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MOSダブルゲート/CNTトランジスタを用いた再構成可能な論理回路の設計法
林 隆程 渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2010/12/01
Vol. J93-C  No. 12  pp. 674-675
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
MOSダブルゲートトランジスタCNTトランジスタ再構成可能論理回路
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一層型FinFET,積層型FinFETを用いたシステムLSIのパターン面積の比較
福田 佑貴 廣島 佑 渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2010/03/01
Vol. J93-C  No. 3  pp. 98-99
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
FinFET積層型FinFETシステムLSIデザインルールパターン面積
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一層型SGT,積層型SGTを用いたシステムLSIのパターン面積の比較検討
小玉 貴大 渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2010/01/01
Vol. J93-C  No. 1  pp. 33-34
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
SGT積層型SGTシステムLSIデザインルールパターン面積
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FinFETを用いたDTMOS(FinFET型DTMOS)の提案
廣島 佑 渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2009/11/01
Vol. J92-C  No. 11  pp. 742-743
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
FinFETDTMOSFinFET型DTMOSパターン面積
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SGTによるシステムLSIのパターン面積縮小効果の検討
横田 智広 渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2009/09/01
Vol. J92-C  No. 9  pp. 537-539
論文種別:  ショートノート
専門分野: 
キーワード: 
SGTシステムLSINANDパターン面積フルアダー
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半導体メモリの過去40年の歴史と将来展望
渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2009/08/01
Vol. J92-C  No. 8  pp. 467-476
論文種別:  招待論文 (エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌500号記念論文特集)
専門分野: シリコン材料・デバイス
キーワード: 
半導体メモリDRAMフラッシュメモリ積層化
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独立したゲートをもつスタック型三次元トランジスタによるシステムLSIの設計法
廣島 佑 渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2009/03/01
Vol. J92-C  No. 3  pp. 94-103
論文種別:  論文
専門分野: 集積エレクトロニクス
キーワード: 
独立したゲートをもつダブルゲートトランジスタスタック型三次元トランジスタFinFET基本論理回路システムLSI
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独立したゲートをもつダブルゲートトランジスタによるシステムLSIの新レイアウト設計法
廣島 佑 渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2009/01/01
Vol. J92-C  No. 1  pp. 18-25
論文種別:  論文
専門分野: 集積エレクトロニクス
キーワード: 
独立したゲートをもつダブルゲートトランジスタFinFETシステムLSI
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スピントランジスタを用いた積層型NAND MRAMの読出し法の検討
玉井 翔人 渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2008/11/01
Vol. J91-C  No. 11  pp. 666-667
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
不揮発性メモリMRAMスピントランジスタ積層型NAND構造
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積層方式NAND構造1トランジスタ型FeRAMの読出し方式の検討
菅野 孝一 渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2008/11/01
Vol. J91-C  No. 11  pp. 668-669
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
不揮発性メモリFeRAM強誘電体積層方式NAND構造
 あらまし | 本文:PDF(355.2KB)(著者一覧)

リーク電流を考慮した2電源方式システムLSIの低消費電力設計法
渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2008/10/01
Vol. J91-C  No. 10  pp. 500-502
論文種別:  ショートノート
専門分野: 
キーワード: 
システムLSI2電源方式消費電力充放電電流リーク電流
 あらまし | 本文:PDF(351.8KB)

サブスレッショルド領域で動作する低電力LSIの高速化の基礎検討
鶴窪 淳 渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2008/06/01
Vol. J91-C  No. 6  pp. 357-358
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
サブスレッショルド動作並列処理DTMOS動作しきい値電圧電源電圧
 あらまし | 本文:PDF(82KB)(著者一覧)

TIS(Trench-Isolated-transistor using Side wall gate)を用いたシステムLSIの設計法
渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2005/12/01
Vol. J88-C  No. 12  pp. 1208-1218
論文種別:  論文
専門分野: 集積エレクトロニクス
キーワード: 
システムLSITISチャネル幅トレンチ深さセルライブラリFinFET
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微細MOSFETのリーク電流を考慮したシステムLSIの高速低消費電力設計法の検討
渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2003/09/01
Vol. J86-C  No. 9  pp. 1034-1037
論文種別:  ショートノート
専門分野: 
キーワード: 
システムLSI並列処理動作時の消費電力MOSFETリーク電流
 あらまし | 本文:PDF(665.9KB)

微細MOSFETのゲートリーク電流の低消費電力用2電源方式に及ぼす影響に関する検討
渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2003/06/01
Vol. J86-C  No. 6  pp. 658-660
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
システムLSIゲートリーク電流2電源方式動作時の消費電力MOSFET
 あらまし | 本文:PDF(540.2KB)

TIS(Trench-Isolated-transistor using Side wall gate)を用いたバッファ回路の新設計法とその大容量DRAMへの適用検討
渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2003/03/01
Vol. J86-C  No. 3  pp. 301-306
論文種別:  論文
専門分野: 集積エレクトロニクス
キーワード: 
バッファ回路TISチャネル幅DRAMFinFET
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周辺回路の歩留りを考慮したギガビットDRAMの最適冗長回路設計法
渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/11/25
Vol. J82-C2  No. 11  pp. 648-650
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
DRAM歩留り周辺回路スペア回路
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TIS(Trench-Isolated-transistor using Side wall gate)を用いたギガビットDRAMのゲート絶縁 膜信頼性の解析
渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/11/25
Vol. J82-C2  No. 11  pp. 645-647
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
ギガビットDRAM信頼性TISTDDB耐圧
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配線の信頼性を考慮したギガビットDRAMの設計法
渡辺 重佳 大内 和則 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/11/25
Vol. J81-C2  No. 11  pp. 865-871
論文種別:  論文
専門分野: 集積エレクトロニクス
キーワード: 
ギガビットDRAM配線の信頼性歩留りワード線電源線
 あらまし | 本文:PDF(436.7KB)