水野 智久


サブ0.1μmMOS構造素子における問題点と素子設計キャリヤ速度オーバシュートと特性揺らぎをもとに
水野 智久 大場 竜二 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/03/25
Vol. J81-C2  No. 3  pp. 320-325
論文種別:  特集論文 (サブ0.1μmMOSデバイスの実現に向けたプロセス・デバイス技術論文小特集)
専門分野: 
キーワード: 
速度オーバシュート移動度キャリヤ密度不純物濃度特性揺らぎ
 あらまし | 本文:PDF(406.3KB)