横田 智広


3D NANDフラッシュメモリの製造技術を用いた縦型垂直積層トランジスタによって構成されたCMOS NAND/NOR回路の提案
横田 智広 渡辺 重佳 
誌名:   
発行日: 2017/04/01
Vol. J100-C  No. 4  pp. 168-173
論文種別:  ショートノート
専門分野: 
キーワード: 
NAND型メモリFe-FET多段積層縦型トランジスタ構造CMOSNAND回路NOR回路論理LSI再構成可能
 あらまし | 本文:PDF(1.3MB)

多段積層縦型トランジスタ構造を用いた積層型Fe-FET順序回路の提案
横田 智広 渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2016/07/01
Vol. J99-C  No. 7  pp. 338-346
論文種別:  論文
専門分野: 集積エレクトロニクス
キーワード: 
NAND型メモリBiCS技術Fe-FET積層構造順序回路フリップフロップ再構成可能
 あらまし | 本文:PDF(2.2MB)

多段積層縦型トランジスタ構造を用いたFe-FET NAND/NANDアレーの提案とそのロジックLSIへの適用検討
横田 智広 渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2016/04/01
Vol. J99-C  No. 4  pp. 150-159
論文種別:  論文
専門分野: 集積エレクトロニクス
キーワード: 
NAND型メモリFe-FET多段積層縦型トランジスタ構造NANDアレー論理LSI再構成可能
 あらまし | 本文:PDF(1.2MB)

SGTによるシステムLSIのパターン面積縮小効果の検討
横田 智広 渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2009/09/01
Vol. J92-C  No. 9  pp. 537-539
論文種別:  ショートノート
専門分野: 
キーワード: 
SGTシステムLSINANDパターン面積フルアダー
 あらまし | 本文:PDF(846.4KB)