松尾 直人


グラフェンの電気抵抗に関する解析的検討
松尾 直人 部家 彰 
誌名:   
発行日: 2018/07/01
Vol. J101-C  No. 7  pp. 287-289
論文種別:  ショートノート
専門分野: 
キーワード: 
グラフェン線抵抗π電子経路抵抗
 あらまし | 本文:PDF(407.5KB)

電界効果型マイクロウォール太陽電池
松尾 直人 小林 孝裕 若宮 翔太 部家 彰 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2015/11/01
Vol. J98-C  No. 11  pp. 309-312
論文種別:  ショートノート
専門分野: 
キーワード: 
電界効果マイクロウォール太陽電池再結合
 あらまし | 本文:PDF(892.4KB)

低照射エネルギー密度のエキシマ・レーザ・アニールにより作製した多結晶Si TFTの電気特性
松尾 直人 小林 孝裕 部家 彰 福岡 琢人 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2014/08/01
Vol. J97-C  No. 8  pp. 332-334
論文種別:  ショートノート
専門分野: 
キーワード: 
エキシマ・レーザ固相結晶化poly-Si TFTディスク状結晶
 あらまし | 本文:PDF(4.7MB)

ソース・ドレーン領域に極薄SiNx 膜を形成したTFTドレーン電流の温度依存性
小林 孝裕 松尾 直人 栃尾 貴之 大倉 健作 大村 泰久 横山 新 部家 彰 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2011/03/01
Vol. J94-C  No. 3  pp. 79-87
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
トンネリング誘電体TFT窒化膜直接トンネリングPoole-Frenkel
 あらまし | 本文:PDF(1.8MB)

ダブルSOI上に形成したトンネル誘電体TFTのAM-OLED駆動回路への応用
松尾 直人 河本 直哉 山本 暁徳 部家 彰 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2006/06/01
Vol. J89-C  No. 6  pp. 409-415
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
トンネル誘電体トランジスタダブルSOIAM-OLED画素駆動回路TiO2
 あらまし | 本文:PDF(1MB)

多パルス照射エキシマレーザアニーリングにより形成したシリコン薄膜
松尾 直人 河本 直哉 浜田 弘喜 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2005/08/01
Vol. J88-C  No. 8  pp. 599-612
論文種別:  招待論文
専門分野: 
キーワード: 
多パルスELA多結晶Si引張応力結晶粒径二次元結晶成長
 あらまし | 本文:PDF(1.9MB)

Si共鳴トンネリングMOSトランジスタによる多値論理回路の可能性
松尾 直人 山本 暁徳 北門 良隆 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2003/12/01
Vol. J86-C  No. 12  pp. 1370-1371
論文種別:  ショートノート
専門分野: 
キーワード: 
シリコン共鳴トンネリングMOSトランジスタ論理回路
 あらまし | 本文:PDF(413.3KB)

チャネル形成領域両端に極薄誘電体膜をもつ新たなTFTの提案と理論検討
松尾 直人 木原 洋幸 山本 暁徳 河本 直哉 浜田 弘喜 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2003/10/01
Vol. J86-C  No. 10  pp. 1070-1078
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
TFT誘電体膜SOIトンネリング誘電体TFT(TDTFT)ダブルSOI(DSOI)
 あらまし | 本文:PDF(1.4MB)

エキシマレーザアニーリング時におけるディスク形状多結晶Si粒の形成
松尾 直人 納田 朋幸 河本 直哉 田口 亮平 宮井 良雄 浜田 弘喜 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2002/08/01
Vol. J85-C  No. 8  pp. 700-703
論文種別:  特集レター (低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
ディスク形状多結晶Si粒エキシマレーザアニーリング表面形状結晶性
 あらまし | 本文:PDF(753.6KB)

エキシマレーザアニーリングにより形成された多結晶シリコンの成長様式―グレーン形状と水素の関係についての検討―
河本 直哉 松尾 直人 阿部 寿 宮井 良雄 浜田 弘喜 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2002/08/01
Vol. J85-C  No. 8  pp. 659-665
論文種別:  特集論文 (低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
エキシマレーザアニーリングSiN基板poly-Si水素結晶成長機構
 あらまし | 本文:PDF(773.8KB)

Si共鳴トンネリングMOSトランジスタ(SRTMOST)のダブルバリヤ/Si界面障壁高さに関する考察-ゲート長との関係-
松尾 直人 北川 康範 高見 義則 浜田 弘喜 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2001/04/01
Vol. J84-C  No. 4  pp. 326-327
論文種別:  レター論文
専門分野: 
キーワード: 
SRTMOSTダブルバリヤ障壁高さゲート長
 あらまし | 本文:PDF(401.4KB)

WKB近似法による極薄SiO 2 膜のトンネル電子の有効質量に関する解析
松尾 直人 山内 純也 北川 康範 三好 正毅 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2000/06/25
Vol. J83-C  No. 6  pp. 577-580
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
極薄SiO2 直接トンネリング電子の有効質量WKB2バンドモデル
 あらまし | 本文:PDF(158.7KB)

Si共鳴トンネリングMOSトランジスタの特性計算-相互コンダクタンスとサブスレッショルド 係数-
松尾 直人 三浦 隆司 山内 純也 浜田 弘喜 三好 正毅 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/03/25
Vol. J82-C2  No. 3  pp. 131-133
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
Si共鳴トンネリングMOSトランジスタ相互コンダクタンスサブスレッショルド係数
 あらまし | 本文:PDF(387.8KB)

極薄誘電体膜トンネル現象のMOSトランジスタへの応用
松尾 直人 三浦 隆司 浜田 弘喜 三好 正毅 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/02/25
Vol. J81-C1  No. 2  pp. 102-103
論文種別:  レター論文
専門分野: 
キーワード: 
T-MOSTトンネル絶縁膜短チャネル共鳴トンネル効果サブスレッショルド特性
 あらまし | 本文:PDF(145.9KB)

極薄誘電体膜トンネル現象のMOSトランジスタへの応用
松尾 直人 三浦 隆司 浜田 弘喜 三好 正毅 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/02/25
Vol. J81-C2  No. 2  pp. 266-267
論文種別:  レター論文
専門分野: 
キーワード: 
T-MOSTトンネル絶縁膜短チャネル共鳴トンネル効果サブスレッショルド特性
 あらまし | 本文:PDF(146.3KB)

極薄誘電体膜の低電圧領域における直接トンネル電流近似関数
松尾 直人 藤原 裕章 三好 正毅 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/07/25
Vol. J80-C1  No. 7  pp. 354-355
論文種別:  レター論文
専門分野: 
キーワード: 
極薄誘電体膜直接トンネリングフェルミエネルギー低電圧領域
 あらまし | 本文:PDF(187.7KB)

多結晶Si薄膜の結晶欠陥と結晶粒径の関係
松尾 直人 衣笠 彰則 綾 洋一郎 納田 朋幸 浜田 弘喜 三好 正毅 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/07/25
Vol. J80-C2  No. 7  pp. 245-248
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
結晶欠陥多結晶Siの粒径原子間力顕微鏡(AFM)電子スピン共鳴(ESR)ラマン分光法
 あらまし | 本文:PDF(295.5KB)

極薄誘電体膜の低電圧領域における直接トンネル電流近似関数
松尾 直人 藤原 裕章 三好 正毅 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/07/25
Vol. J80-C2  No. 7  pp. 242-243
論文種別:  レター論文
専門分野: 
キーワード: 
極薄誘電体膜直接トンネリングフェルミエネルギー低電圧領域
 あらまし | 本文:PDF(187.8KB)

極薄酸化・窒化・酸化複合膜の低電圧領域における電気伝導機構のWKB近似による理論的解析
松尾 直人 藤原 裕章 三好 正毅 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/01/25
Vol. J80-C2  No. 1  pp. 23-30
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
酸化・窒化・酸化複合膜凹凸多結晶Si電界集中直接トンネリングWKB近似有効質量曲率半径の正規分布
 あらまし | 本文:PDF(607.4KB)