干場 一博


強誘電体メモリの読出し応答解析
西村 清 淵上 貴昭 干場 一博 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/06/25
Vol. J81-C2  No. 6  pp. 534-541
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
強誘電体過渡特性不揮発性RAMシミュレーションモデル
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強誘電体過渡応答特性モデルの開発とその応用
西村 清 淵上 貴昭 干場 一博 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/02/25
Vol. J81-C2  No. 2  pp. 251-258
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
強誘電体過渡特性不揮発性RAMシミュレーションモデル
 あらまし | 本文:PDF(480.2KB)

強誘電体ヒステリシス特性モデルの開発とその応用
西村 清 淵上 貴昭 干場 一博 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/07/25
Vol. J80-C2  No. 7  pp. 229-235
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
強誘電体ヒステリシス特性不揮発性RAMシミュレーションモデル
 あらまし | 本文:PDF(449.8KB)