大野 守史


フラッシュメモリセルBBT現像のシミュレーションによる解析と高信頼性セルの開発
林 孝尚 福田 浩一 大野 守史 西 謙二 北 明夫 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1996/06/25
Vol. J79-C2  No. 6  pp. 297-302
論文種別:  特集論文 (ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
専門分野: 
キーワード: 
バンド間トンネル現象フラッシュメモリシミュレーションEndurance特性
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