執行 直之


デバイス・シミュレーション―予測確度と実用性の向上―
執行 直之 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2016/01/01
Vol. J99-C  No. 1  pp. 10-17
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
TCAD物理モデル逆ナロー・チャネル効果不純物ゆらぎ少数キャリア移動度バンドギャップ・ナローイングメッシュ依存性フラッシュ・メモリ
 あらまし | 本文:PDF(1.7MB)

埋込チャネルMOSFETのSスイングと短チャネル効果の改善:Counter-Doped Surface-channel MOSFET(CDSC)
遠田 利之 執行 直之 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1996/06/25
Vol. J79-C2  No. 6  pp. 244-251
論文種別:  特集論文 (ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
専門分野: 
キーワード: 
CMOSサブミクロンデバイス埋込チャネルsubthreshold-swing短チャネル効果
 あらまし | 本文:PDF(441.4KB)

MOSデバイスの3次元シミュレーションと狭チャネル効果の解析
執行 直之 小中 雅水 檀 良 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1983/12/25
Vol. J66-C  No. 12  pp. 1035-1041
論文種別:  特集論文 (LSI特集)
専門分野: 微細化デバイス
キーワード: 
 あらまし | 本文:PDF(500.5KB)

多値論理関数の計算量の下限について
執行 直之 石田 良弘 丸岡 章 木村 正行 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 D
発行日: 1983/05/25
Vol. J66-D  No. 5  pp. 564-570
論文種別:  論文
専門分野: 
キーワード: 
 あらまし | 本文:PDF(509.9KB)