加藤 公彦


材料エンジニアリングによるトンネル電界効果トランジスタの高性能化
高木 信一 加藤 公彦 安 大煥 後藤 高寛 松村 亮 高口 遼太郎 竹中 充 
誌名:   
発行日: 2019/03/01
Vol. J102-C  No. 3  pp. 61-69
論文種別:  招待論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
トンネリングFETS.S.値
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