八木 宏親


イオン照射によるシリコン基板の高抵抗化技術
井上 剛 八木 宏親 李 寧 平野 拓一 岡田 健一 松澤 昭 
誌名:   
発行日: 2018/09/01
Vol. J101-C  No. 9  pp. 344-351
論文種別:  招待論文
専門分野: マイクロ波,ミリ波
キーワード: 
イオン照射シリコン基板高抵抗受動素子低損失低消費電力
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