山手　章弘

20 nm MOS回路設計のためのMOSFET解析モデル
山手　章弘  廣木　彰  山田　正良 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2007/04/01
Vol. J90-C  No. 4  pp. 363-369
論文種別: 論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
MOSFET解析モデル,  20 nm MOSFET,  回路設計,  ドレーンコンダクタンス, 
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